Toshiba推出采用最新一代工艺技术[1]的100V N沟道功率MOSFET，以提升工业设备开关电源效率

日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H^[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。

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100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上，优化了漏源导通电阻(R_DS(ON))、总栅极电荷(Q_g)及二者的权衡特性(R_DS(ON) × Q_g)，从而降低了传导损耗和开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的R_DS(ON)降低约8%，Q_g降低37%，R_DS(ON) × Q_g改善42%。通过应用寿命控制技术^[2]，该产品还实现了高速体二极管性能，减少了反向恢复电荷(Q_rr)并抑制了尖峰电压。Q_rr改善约38%，R_DS(ON) × Q_rr也改善约43%。这些行业领先的^[3]权衡特性^[4]（R_DS(ON) × Q_g和R_DS(ON) × Q_rrr）将功率损耗降至最低，有助于提升电源系统的效率和功率密度。此外，它采用SOP Advance (N)封装，与行业标准具有出色的安装兼容性。

Toshiba还提供电路设计支持工具：可快速验证电路功能的G0 SPICE模型，以及能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。所有工具现已全面可用。

Toshiba将继续扩展低损耗MOSFET产品线，助力打造更高效率的电源，为降低设备功耗做出贡献。

注：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低压功率MOSFET工艺技术之一。Toshiba调查。
[2] 寿命控制技术：通过利用离子束在半导体中引入缺陷，有意缩短载流子寿命，从而提高开关速度，改善二极管的恢复速度并降低噪声。
[3] 截至2025年9月，与其他用于工业设备的100V N沟道功率MOSFET相比。Toshiba调查。
[4] R_DS(ON)×Q_g : 120mΩnC（典型值），R_DS(ON) Q_rr : 127mΩ×nC（典型值）

应用领域

• 数据中心和通信基站所用工业设备的电源
• 开关电源（高效DC-DC转换器等）

产品特点

• 低漏源导通电阻：R_DS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(V_GS=10V, I_D=50A, T_a＝25°C)
• 低总栅极电荷：Q_g=52nC（典型值）(V_DD=50V, V_GS=10V, I_D=50A, T_a＝25°C)
• 低反向恢复电荷：Q_rr=55nC（典型值）(I_DR＝50A, V_GS=0V, -dI_DR /dt=100A/μs, T_a＝25°C)

主要规格

（除非另有说明，否则Ta=25°C）
部件编号				TPH2R70AR5
绝对 最大 额定值	漏源电压 VDSS (V)			100
	漏极电流（直流）ID (A)		Tc=25°C	190
	沟道温度 Tch (°C)			175
电气 特性	漏源导通 电阻 RDS(ON) (mΩ)	VGS=10V, ID=50A	最大值	2.7
		VGS=8V, ID＝50A	最大值	3.6
	总栅极电荷 Qg (nC)	VDD=50V, VGS=10V, ID=50A	典型值	52
	栅极开关 电荷 Qsw (nC)		典型值	17
	输出电荷 Qoss (nC)	VDD=50V, VGS=0V, f=1MHz	典型值	106
	输入电容 Ciss (pF)	VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz	典型值	4105
	反向恢复 电荷 Qrr (nC)	IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs	典型值	55
封装	名称			SOP Advance(N)
	尺寸(mm)		典型值	5.15×6.1
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。

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