三款新裝置將 SuperGaN 常關型 D 模式平台的優勢引進以 SMD 為基礎的大功率系統，而這類系統需要更高的可靠性和性能，同時在緻密足迹具有較低的發熱量
加州，戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc.(Nasdaq代碼: TGAN) 是高性能氮化鎵功率半導體領域的全球翹楚，代表著下一代電源系統的未來。該公司今天推出了三款採用 TOLL 封裝的 SuperGaN® 氮化鎵場效應管 (FET)，導通電阻分別為 35、50 和 72 毫歐姆。Transphorm 的 TOLL 封裝配置符合業界標準，意即 SuperGaN TOLL FET 可作為任何 E 模式 TOLL 解決方案的直接替代品。新元件還具備 Transphorm 經驗證的高壓動態 (開關) 導通電阻可靠性，而這正是以一流代工廠為基礎的 E 模式 GaN 產品普遍所缺乏的。如需索取樣品，請造訪 Transphorm 的產品頁面:https://www.transphormusa.com/en/products/。
這三款表面黏著元件 (SMD) 可支援在 1 至 3 千瓦的平均範圍內運行的更高功率應用。這些電源系統通常用於高性能領域，如計算 (人工智慧、伺服器、電信、資料中心)、能源和工業 (太陽光變頻器、伺服馬達) 以及其他廣泛的工業市場，這些市場目前的全球 GaN TAM 總額為 25 億美元。值得注意的是，FET 是目前極速發展的 AI 系統的最佳解決方案，這些系統依賴 GPU，其功率需要是傳統 CPU 的 10 到 15 倍之多。
Transphorm 的高功率 GaN 元件已經大量供應給領先客戶，為生產中的高性能系統供電，包括資料中心電源、高功率遊戲 PSU、UPS 和微型逆變器。TOLL 元件還可以支援多種應用，如電動車的 DC-DC 轉換器和車載充電器，底層 SuperGaN 晶片已通過汽車 (AEC-Q101) 認證。
SuperGaN TOLL FET 是 Transphorm 提供的第六種封裝類型，為客戶提供了最多樣的封裝選擇，以滿足客戶各自獨特的設計要求。與所有 Transphorm 產品一樣，TOLL 元件利用常關 D 模式 SuperGaN 平台的固有性能和可靠性帶來優勢。有關 SuperGaN 與 E 模式 GaN 的詳細競爭分析，請下載公司最新的白皮書，題為《自共源共柵配置中的 D 模式 GaN 的基礎優勢》(The Fundamental Advantages of d-Mode GaN in Cascode Configuration)。這份白皮書的結論與今年年初發布的一份正面對比報告一致。該報告顯示，72 毫歐姆的 SuperGaN FET 在常見的 280w 遊戲筆電充電器上的表現優於更大的 50 毫歐姆 E 模式元件。
SuperGaN 元件引領市場，無可匹敵：可靠性在 < 0.03 FIT ± 20 V 時的閘極安全裕度 4 V 時的抗擾度 低於 E 模式 20% 時的電阻溫度係數 (TCR) 採用矽控制器/驅動器中提供的標準驅動器和保護電路，實現驅動靈活性
元件規格
強悍的 650 V SuperGaN TOLL 元件通過 JEDEC 認證。由於常關 D 模式平台將 GaN HEMT 與低電壓矽 MOSFET 配對，因此 SuperGaN FET 使用常用的柵極驅動器，很容易就能驅動。它們可用於各式硬性和柔性切換的 AC 轉 DC、DC 轉 DC，以及 DC 轉 AC 創新拓撲，以提高功率密度，同時減小系統尺寸、重量和整體成本。
元件
尺寸(mm)
RDS(on) (mΩ) 類
RDS(on) (mΩ) 最高
Vth (V) 類
Id (25°C) (A) 最高
TP65H035G4QS
10 x 12
35
41
4
46.5
TP65H050G4QS
10 x 12
50
60
4
34
TP65H070G4QS
10 x 12
72
85
4
29
可用性和支援資源
SuperGaN TOLL 元件目前可提供樣品。若有意取得產品，請造訪https://www.transphormusa.com/en/products/並提交申請。
為使 TOLL 為主的系統開發更臻完善，關鍵應用注意事項包括： AN0009：Transphorm GaN FET 的推薦外部電路 AN0003：GaN電源開關的印刷電路板設計和檢測 AN0014: 低成本、高密度、高電壓矽驅動器，用於中低功率氮化鎵 FET 應用
關於 Transphorm
Transphorm, Inc. 是氮化鎵革命的全球領導者，為高壓功率轉換應用設計，以及製造高性能與高可靠性的氮化鎵半導體。Transphorm 擁有 1000 多項自有或授權專利，是功率氮化鎵知識產權組合最多的公司之一，並生產業界首批通過 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的高壓氮化鎵半導體元件。公司的垂直整合装置業務模式利於各開發階段實現創新：設計、製造、設備和應用支援。Transphorm 的創新使電力電子元件突破了矽的限制，實現了超過 99% 的效率、使功率密度提高 50%，系統成本降低 20%。Transphorm 總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如欲瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。在 Twitter (@transphormusa) 和微信 (@Transphorm_GaN) 上關注我們。
SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。
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